RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3033
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link