RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3033
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link