RAM-Vergleich Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

46 73

Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

2 15.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 1,519.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 3200

Rund um 6.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

241 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns