RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
73
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
73
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1843
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link