RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
65
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
3215
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link