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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
65
Intorno -86% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
35
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
3215
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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