Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote

Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,451.8 2,063.5

Durchschnittswert bei den Tests

Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM2GSDS800D2 2GB

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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

53 65

Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

5 4

Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Wichtigste Merkmale

Speicherart

DDR2 DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns

65 53
Lesegeschwindigkeit, GB/s

4,605.9 5,173.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,451.8 2,063.5
Speicherbandbreite, mbps

6400 6400

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

878 907

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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