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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Note globale
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Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Corsair CM2GSDS800D2 2GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,063.5
    Valeur moyenne dans les tests
Corsair CM2GSDS800D2 2GB Raisons de considérer
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
Signaler un bogue
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    53 left arrow 65
    Autour de -23% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    5 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM2GSDS800D2 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    65 left arrow 53
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,605.9 left arrow 5,173.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,063.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    878 left arrow 907

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