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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
1,903.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
65
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
65
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
4,662.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
1,903.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
839
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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