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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
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Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,784.6 left arrow 1,903.7
    テスト平均値
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB 考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    62 left arrow 65
    周辺 -5% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8AEFA-8G-E 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 4,662.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 1,903.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 839

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