RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
52
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
1,906.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,672.4
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,906.4
9.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
698
2449
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link