RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
52
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2449
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link