RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
77
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2181
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link