RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
77
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2181
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link