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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology 11137401 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
40
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology 11137401 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1921
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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