RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против A-DATA Technology 11137401 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology 11137401 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology 11137401 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1921
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link