RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
33
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3350
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link