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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
33
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
21
Velocità di lettura, GB/s
17.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3350
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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