RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2170
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link