RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3876
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link