RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3876
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link