RAM-Vergleich Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.6 11.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 9.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 16800

Rund um 1.52% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 33

Rund um -10% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2910 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns