Porównanie pamięci RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Inmos + 256MB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.6 11.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.0 9.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 16800

Wokół strony 1.52% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 33

Wokół strony -10% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2910 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns