RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
33
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2480
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link