RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno -27% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
26
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2480
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link