RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2964
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link