RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2964
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link