RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1770
2888
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link