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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
12.8
16.7
写入速度,GB/s
7.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2888
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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