RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2790
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link