RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2790
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link