RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3025
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link