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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3025
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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