RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
54
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3166
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link