RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
54
Por volta de -145% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3166
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link