RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
104
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2792
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link