RAM-Vergleich Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Gesamtnote

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,404.5 1,190.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

59 104

Rund um -76% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

786 406

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns