RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
104
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2701
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link