RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
104
Rund um -316% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2786
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link