RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
16.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3748
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link