RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3258
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link