RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
93
104
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
93
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1670
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link