RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
73
Rund um -232% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
14.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3361
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link