RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
68
Rund um -240% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3327
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link