RAM-Vergleich Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 16.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 68

Rund um -119% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.4 1,702.6

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 , 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

654 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns