RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
68
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
9.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
2618
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link