RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3559
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link