RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
29
Velocità di lettura, GB/s
15.5
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3559
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link