RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3332
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link