RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3332
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link